台亞搶進GaN第三代半導體領域,明年底產品送樣

【財訊快報記者巫彩蓮報導】日亞化掌握台亞( 2340 )經營權,重新定位經營策略由光電朝向矽電多元化布局,去年籌建積亞半導體(ProAsia Semiconductor Corporation,PASC)專注在碳化矽(SiC)高功率元件,今年下半年則是添購關鍵設備,搭配原有磊晶(Epi)反應爐,投入氮化鎵(GaN)磊晶、元件研發及生產,預計明年底向客戶送樣進行認證。

  日亞化、Wolfspeed為全球第三代半導體領先廠商,去年日亞化全面主導台亞董事會,確立感測半導體科技發展方向,除了轉投資積亞半導體建廠之外,也將投入GaN磊晶、元件「類IDM」廠布局。

  台亞總經理衣冠君表示,公司過去十幾年在三五族化合物累積許多生產經驗值,也有Epi反應爐設備以及人才,要跨入GaN領域,只欠缺關鍵設備,透過與上游設計者、下游封裝合作,可在短期間開發出高電子遷移率電晶體(Power HEMT)樣品。

  台亞以GaN為基礎的第三代半導體功率器件作為主要產品,其相對於矽基元件可以耐更高的電壓,比起SiC元件有更低的功耗,未來將結合GaN與SiC發展出高頻高效的射頻器件及模組,衣冠君分析,GaN應用更為寬廣介於矽、SiC之間,亦可取代IGBT,可用於光伏、充電等市場,SiC在高功率車用市場有重疊性,目前規劃投資2億元添購關鍵設備,再搭配現有反應爐設備,即可建立月產能500片GaN產能,去年所成立的積亞半導體以SiC高功率元件為主,初期規劃產能約3000片。



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