半導體材料專家梁駿吾院士逝世,享年89歲

半導體材料專家、中國工程院院士、中國科學院半導體所研究員梁駿吾,因病醫治無效,於2022年6月23日在北京逝世,享年89歲。

梁駿吾 資料圖

梁駿吾是中國從事矽材料研究的元老級專家,在20世紀60年代解決了高純區熔矽的關鍵技術。1964年製備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研製成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質矽區熔單晶。上世紀80年代首創了摻氮中子嬗變矽單晶,解決了矽片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料,在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面,將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。

梁駿吾一生與半導體材料科研事業相伴,他曾在採訪中說,希望通過自己的科研經歷,帶給年輕科研人員一些啟發,讓他們看到這份事業可以有所作為,讓他們覺得自己同樣能夠作出成績。

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