東芯股份一季報延續高增長 持續加碼研發夯實核心競爭力

轉眼間,東芯股份上市已半年有餘。

作為國內領先的存儲晶元設計公司,東芯股份從上市之初就備受市場關注。根據公開資料顯示,東芯股份主要聚焦中小容量通用型存儲晶元的研發、設計和銷售,是中國大陸少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM等存儲晶元完整解決方案的公司。

2021年12月登陸科創板時,東芯股份募集資金總額達33.37億元,最終募集資金凈額較原計劃多出23.14億元。

今年4月,東芯股份交出了上市後首份業績成績單,報告期內,東芯股份不負股東期望,業績創出了歷史新高——2021年公司實現營業收入為11.34億元,同比增長44.62%;歸屬於上市公司股東的凈利潤為2.62億元,同比增長1,240.27%。 

2022年業績再現「開門紅」 

一直以來,全球儲存晶元市場被海外巨頭企業壟斷,頭部集中度高。近年來,隨著國產化需求的不斷提高,大陸存儲晶元企業有望迎來良好的發展契機。

根據公開資料顯示,東芯股份成立於2014年,聚焦於中小容量存儲晶元的研發、設計和銷售,其主要產品為非易失性存儲晶元NAND Flash、NOR Flash;易失性存儲晶元DRAM以及衍生產品MCP。

對應不同的應用領域來看,東芯股份目前產品應用的領域主要分成四大類,第一類是網路通訊的產品,從包括5G的宏基站到微基站,在家庭部分的話主要是接入網的部分,比如家用的光貓;還包括最近一年應用在WiFi6的網通類產品。

第二類應用是安防監控,主要的產品形態包括球機、槍機以及後端的NVR、DVR等。第三類是可穿戴設備,主要以TWS藍牙耳機、智能手環智能手錶等細分市場為代表;第四類應用的是模塊,主要是MCP產品的應用,包括在5G、cat.4等方面。

2021年,在國內晶元產業景氣度不斷提升的背景下,東芯股份業績暴增十餘倍,2021年公司晶元出貨量達到了2.08億顆,表現十分亮眼。

進入2022年以來,東芯股份延續了高增長態勢,業績再創新高。2022年1月1日-2022年3月31日,公司實現營業收入3.44億元,同比增長82.86%,凈利潤1.10億元,同比增長216.92%。

對於業績持續快速增長的原因,東芯股份高管在與投資者交流時將其歸因於三方面:一在財務方面,公司在2020年首次實現盈利,因此相比2021年一季度,2022年一季度的增長比例較大。二是供應鏈方面,我們一直在布局、完善多渠道供應鏈及交貨方式,因此Q1受疫情影響相對較小,對公司凈利潤增長有所幫助。三是產品結構方面,公司持續優化產品結構,2022年一季度時高附加值產品出貨比率較高,如大容量SLC NAND等,因此毛利率相對較高。」

據該高管介紹,2022年一季度公司業績超預期的背後,通訊類產品是相對較大的增長領域,尤其是在5G通訊領域,「目前我們產品在工業類的應用,包括基站、監控安防等都有不錯的成績。」 

持續加碼研發夯實核心競爭力 

東芯股份之所以能取得突出的業績,與其對研發的重視和多產品線的布局密不可分。

據了解,東芯股份的核心技術均來源於自主研發。東芯股份擁有自主完整的知識產權,其設計研發並量產的24nm NAND、48nm NOR均為大陸領先的NAND、NOR工藝製程。

憑藉積淀多年的存儲晶元設計經驗和資深的研發團隊,東芯股份可根據客戶的特定需求提供NAND、NOR、DRAM等存儲晶元定製化的設計服務和整體解決方案,幫助客戶降低產品開發時間和成本,提高了產品開發效率。

在為客戶進行定製化的設計過程中,東芯股份也不斷了解市場對產品功能需求,接收客戶對終端產品的反饋,反覆驗證和打磨已有的技術,建立了「研發-轉化-創新」的技術發展循環,也進一步增強技術能力。

2021年,東芯股份研發費用近7500萬元,占當期營業收入6.60%,研發投入較上年同比增長57.37%。截至2021年末,公司研發及技術人員數量較上年同期增加29.85%。

根據公開資料顯示,2021年,東芯股份在新產品的研發和生產方面,展開了多層次、全方位的投入。一方面,公司聚焦國內先進工藝,與中芯國際深度合作,基於中芯國際19nm工藝平台,在2021年下半年完成了SLC NAND Flash首顆流片;同時,為滿足多樣化的終端需求,東芯股份還基於中芯國際24nm工藝平台,實現新產品最大至32Gb產品設計流片,實現1Gb到32Gb系列產品設計研發的全覆蓋。另一方面,東芯股份還對其已有產品進行不斷迭代升級,持續改善中芯國際24nm平台的工藝和產品良率;同時,實現大容量NOR Flash設計流片,及PSRAM產品的設計流片,為下一步多樣化產品設計、降低成本、提升產品盈利能力打下基礎。

進入2022年以來,東芯股份對於研發的重視程度更甚以往。早前,東芯股份管理團隊曾在接受投資者調研時透露,2022年公司希望可以維持並提高研發費用,作為創新型研髮型企業,加大研發費用有利於推出新型產品、吸引新的研發人員加入公司。眼下,東芯股份前瞻性的業務布局和高輕度的研發投入,已取得了不俗的進展。

在車規級快閃記憶體領域,東芯股份在38nm工藝上已經可以為客戶提供車規級的PPI NAND以及SPI NAND的樣品,包括1G、2G到最大的8G車規的NAND Flash。NOR Flash目前正在研發的則是48nm中高容量的NOR Flash車規級產品。

在PSRAM領域,東芯股份正在開發的PSRAM主要基於38nm工藝開發,主要容量是256Mb。據了解,PSRAM主要是針對穿戴式客戶,公司目前在PSRAM的客戶基礎上具有一定優勢,客戶可以用公司的SLC NAND,也可以用今後開發的PSRAM。

在SLC NAND的布局上,東芯股份也遵循高可靠性和更新工藝兩個方向,在高可靠性,公司具備開發更高容量NAND的基礎,可在SLC NAND上研製高可靠性的產品,如車規級的SLC NAND。在更新工藝上,東芯股份不斷更新製程,從38nm、24nm,再到現在正在開發的19nm的工藝,通過不斷更新工藝來為客戶帶來更具性價比、更高容量的產品。

據東芯股份高管透露,2021年至2022年,公司SLC NAND在總體營收佔比中保持相對穩定的狀態。從長期來看,雖然SLC NAND是公司的優勢產品,公司也會在NOR和DRAM上持續發力,打造從多品類通用型向特色型產品延申的發展路徑,提升綜合競爭力。

(本文僅供參考,不作為投資建議)

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