3納米良率低於目標量產延後?三星:仍按計劃在二季度推進

韓國首爾,三星總部大樓。人民視覺  資料圖

6月22日,三星電子否認了韓國當地媒體《東亞日報》有關延後3納米量產的報導。 三星一位發言人通過電話表示,三星目前仍按進度於第二季度開始量產3納米晶元。

《東亞日報》此前報導稱,由於良率遠低於目標,三星3納米量產將再延後。

6月21日,韓媒BusinessKorea報導,三星為趕超台積電,加碼押注3納米環繞閘極技術(GAA)技術,希望未來三年建立GAA技術的3納米晶片製程,並在2025年量產以GAA製程為基礎的2納米晶片。

BusinessKorea報導說,據傳三星6月初已導入3納米GAA製程,進行試驗性量產,成為第一家運用GAA技術的公司,希望技術能達成量子級的躍進,縮短和台積電之間的差距。

三星的策略是今年上半年把GAA技術應用於3納米製程,計劃明年把GAA技術導入第二代3納米晶片。而台積電的策略則是在今年下半年以穩定的FinFET製程,進入3納米半導體市場。

台積電日前披露,公司2納米製程將於2025年開始量產後。三星則希望押注3納米環繞閘極技術(GAA)技術,將在未來三年完成建立GAA技術的3奈米晶片製程,並在2025年量產以GAA製程為基礎的2納米晶片。屆時,兩家企業將同步量產最先進的2納米製程。

據BusinessKorea報導,GAA是改善半導體電晶體結構的下一代製程技術,讓閘極能夠接觸電晶體的四個側面,相較於當前鰭式場效電晶體(FinFET)只能接觸電晶體三個側面的情況,GAA結構可比FinFET製程更精準控制電流。三星正押注把GAA技術應用到3納米製程,以便追趕台積電。

據悉,三星3納米工藝將半導體的性能和電池效率分別提高了15%和30%,同時與5納米工藝相比,晶元面積減少了35%。

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