科技 新浪科技 存儲元器件漲價 供需失衡還是日韓供應商默契聯手?

存儲元器件漲價 供需失衡還是日韓供應商默契聯手?

新浪科技 2017-06-20 03:30

  每經記者 王晶 每經編輯 趙橋 實習編輯 方芳

  從2016年第二季度開始,以SSD固態硬碟為代表,包括固態硬碟、內存條、優盤甚至快閃記憶體卡在內的整個內存行業,開始緩慢漲價。進入2017年後,漲價的勢頭並沒有停止,整個存儲行業反而掀起了新一輪的大幅漲價潮。

  2015年~2016年上半年,120G/240G的SSD價格一度降至299元/399元,而512G的SSD也有不少低至599元。不過,好景不長,自2016年下半年開始,SSD的價格出現全面上調,漲幅超過市場預期。

  近日,《每日經濟新聞》記者通過線下走訪十多家銷售商家以及採訪業內人士了解到,固態硬碟等存儲產品大幅漲價的原因是供需失衡。但也有部分業內人士認為,此輪漲價背後並非完全由市場供需決定,也不排除部分NAND Flash供應商有意為之的可能。

  供應端:主要廠商暫無增產計劃

  從供應端看,目前全球範圍內從事NAND快閃記憶體顆粒的廠商有很多,但能夠有市場定價能力的只有六家,他們分別是三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、 英特爾(Intel)、海力士(SKhynix)、 美光 (Micron)和閃迪(SanDisk),這些企業很多在中國有生產企業,幾乎壟斷了全球大部分快閃記憶體市場。

  從行業看,今年三星、東芝、美光、海力士等主要的內存大廠都沒有增產計劃,而是進行製程轉換,目的是將主要產能從2D NAND製程轉向生產3D NAND。2017年,三星新工廠Fab 17和Fab 18都將投入V-NAND生產,3D技術也將向64層提升。

  中國快閃記憶體市場China Flash Market預計三星V-NAND生產比重在2017年一季度可達到45%,二季度將達到50%以上,在3D NAND爆發元年將有很大的市場競爭優勢。

   英特爾 在2016年第三季度開始試產32層3D NAND,預計2017年中期轉至64層量產;而2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB,TLC版本容量48GB,是目前除原廠品牌之外,市場3D SSD的主要貨源之一,在3D NAND技術上,美光選擇了跨過48層NAND快閃記憶體,計劃在2017年直接量產64層 NAND顆粒;海力士自然也不例外,2017年海力士計劃提升至72層3D NAND量產,公司將在一季度推出樣品,並於二季度開始小批量生產,從堆疊層數來看,已經趕上甚至反超競爭對手。

  雖然各個廠商都力圖提高製程,但在切換的過程中,3D NAND量產嚴重不足,良率過低,而2D NAND產能也在下滑,這種局面造成全年內存都面臨缺貨的狀況,供不應求也導致內存價格一路飆升。

  行業諮詢機構DRAM eXchange的數據顯示,NAND快閃記憶體在2017年一季度供貨依然緊張,NAND快閃記憶體晶元的平均價格在一季度上漲了20%~25%

  長城證券在6月初的《電子元器件》周報的標題就是,「NAND快閃記憶體顆粒依舊供求,全球範圍快閃記憶體價格持續上漲 」。該周報認為,「要等到所有的快閃記憶體原廠在3D製程上實現了完全突破,良率獲得大幅提升,幾大原廠能夠在同樣的技術和成本體系下進行競爭,當前存儲產品漲價情形可能會得到緩解。通過我們從市場了解到的情況來看,大部分快閃記憶體原廠都是在2017年開始量產基於最新堆疊層數的3D NAND技術產品,量產的產品經過最終封裝和分發到存儲廠商手中,然後經由存儲廠商進行產品方案的選擇和最終推出到市場,可能還會經歷一段時間。因此當前的漲價趨勢可能還會持續半年以上。」

  需求端:智能手機和伺服器需求大增

  在需求端,對於存儲產品的需求越來越大,包括中國企業大量切入的智能手機市場、無人機市場,以及伺服器市場。

  首先是智能手機等數碼產品容量的提升。目前,智能手機、筆記本、平板電腦等設備一直向大容量邁進, 蘋果 、三星、華為、OPPO、VIVO等品牌的手機出貨量都在千萬級別,也加劇了快閃記憶體顆粒的稀缺。

  二是由於目前固態硬碟技術越來越成熟、穩定,固態硬碟開始大規模應用在伺服器市場。事實上,在傳統的存儲行業,一直存在著消費級市場和伺服器級市場。一般來說,新興的存儲技術在消費級存儲市場得到了充分驗證,保證技術上的穩定后,伺服器級市場便會開始大規模應用。

  在固態硬碟技術處於2D NAND時代,伺服器級市場幾乎很少使用固態硬碟作為存儲介質,但隨著3D NAND Flash從無到有、從32層向64層堆疊,越來越多的伺服器級市場開始進行產品的更新換代。而此前,Intel官方還在公開場合宣布,隨著3D Xpoint的成熟,Intel將在2017年優先生產高速增長的數據中心應用的固態硬碟,而不是低成本的消費級固態硬碟。

  三是新的應用需求出現,包括物聯網、雲計算、智能家庭和智能建築,以及自駕車、無人機和機器人等新應用的流行,NOR Flash(非易失快閃記憶體技術)作為儲存驅動程序碼的儲存裝置被大量應用。但在擴產有限,需求不減反增的情況下,價格勢必持續上揚。

  日韓供應商『默契』漲價?

  雖然市場方面認為內存大幅上漲的原因無非就是供需失衡,但也有部分業內人士對記者表示,此輪漲價背後並非完全由市場供需決定,也不排除部分NAND Flash供應商有意為之的可能——「很難說這是不是部分日韓供應商『默契』的漲價行為。」

  自去年下半年三星發生了Galaxy Note 7「爆炸門」事件以及實際掌門人受到腐敗指控后,唱衰三星的聲音不絕於耳。

在外界看來,這些事件將導致三星的利潤出現大幅下滑,但結果卻出人意料。

  4月27日,三星公布了2017第一季度的財報,公司取得50.55萬億韓元收入,同比增長1.5%;營業利潤9.90萬億韓元,同比增長48.2%;而凈利潤為7.68萬億韓元,同比大漲46.3%。

  事實上,三星今年首季度利潤大增得益於三星半導體業務的貢獻,其半導體部門營業利潤為6.31萬億韓元,同比大增139.9%;設備解決方案部門營業利潤為7.59萬億韓元,同比暴漲225.8%,但IT和移動通信部門的營業利潤僅為1.07萬億韓元,銳減46.8%。

  一些分析師認為,2017年的內存供應將會持續緊張,隨著NAND、DRAM的繼續漲價,三星的利潤還將被推高。來自韓國IBK的分析師 Lee Seung-woo曾表示,三星今年第二季度的運營利潤可達12.1萬億韓元,摺合110億美元。

  可以說,半導體業務將為三星今年的業績立下「汗馬功勞」,正因如此,三星也在積極鞏固其在NAND Flash市場的競爭優勢。三星電子於6月15日宣布已經開始大量生產64層256Gb V- NAND,被稱為第四代VNAND。三星目前V-NAND佔整體NAND Flash產能的70%以上,隨著64層V-NAND(3D垂直快閃記憶體)進入量產,V-NAND產能比重將更高,並不斷擴大在伺服器、PC和移動設備等領域的應用。

  針對外界認為部分日韓供應商「默契」漲價的觀點,《每日經濟新聞》記者聯繫了三星方面,不過截至發稿,尚未獲得回應。

  上述三星固態硬碟旗艦店的門店負責人表示,三星Fab 18工廠已經在6月份投入生產64層V-NAND,三星還計劃基於64層V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品,以及推出M.2和2.5英寸規格形態的SSD產品。與48層256Gb V-NAND相比,新的64層256Gb V-NAND將提高30%以上的生產效率。此外,64層V-NAND是2.5V輸入電壓,與使用48層VNAND的3.3V相比,能量效率提高了約30%。

  產業觀察家洪仕斌認為,快閃記憶體顆粒的核心優勢並不掌握在中國企業手中,而國際大廠的壟斷也會導致「坐地起價」。其中,三星必須在核心部件中找出盈利空間來彌補其在智能手機、彩電等領域的營收下滑。

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